Создатели избрали последующий подход: поначалу с поддержкою высокотемпературного процесса(850°С)была выполнена логическая часть схемы, а потом, поверх нее, с поддержкою низкотемпературного процесса своей разработки(400°С), «наложена» память. Поместив логику и память в различные слои одной трехмерной микросхемы, удалось повысить ступень интеграции и понизить удельную стоимость чипа.

По воззрению знатоков, разработки в данной области, существовавшие до BeSang, были псевдотрехмерными. Конкретно таковой термин употреблял доктор Саймон Цзе(Simon Sze), один из тех, кто в 1967 году изобрел транзистор с плавающим затвором для ячеек энергонезависимой памяти.

Демо чип был сделан по технологии CMOS с применением норм 180 нм. В его структуру вошел слой вертикальных транзисторов, походящих для производства флэш-памяти либо оперативной памяти типа DRAM и SRAM. Слой памяти был перенесен с донорской пластинки. Нижний слой был разделен от верхнего монокристаллом кремния. Меж собой слои соединены 2-мя слоями железных связей.

-Ежели бы строили дом счастья, самую великую комнату пришлось бы отвести под зал ожидания.(Жюль Ренар)