Ученые считают, что эта же самая разработка дозволит работать с разрешением, по наименьшей мере, до 12 нм. По их словам, при последующем продвижении вперед главными главными ограничивающими факторами стают шероховатость материалов и невозможность следить настолько малые структуры.

В интерференционной литографии употребляется два лазера с различной рабочей частотой. За счет их интерференции формируется дифракционная картина с еще наиболее высочайшим разрешением, чем обеспечивает хоть какой из лазеров раздельно. Ограничения, не связанные с оптическими факторами, ограничивают применение интерференционной литографии действиями проверки фоторезиста, а не настоящим формированием частей электронных цепей на поверхности пластинки.



Добавив возможность развертки либо сканирования, ученые рассчитывают перевести интерференционную литографию в разряд коммерчески применимых технологий производства чипов по нормам 25 нм и наименее.

В обыкновенной литографии полупроводниковая пластинка остается неподвижной, а в интерференционной она все время движется. К раскаянию, перемещение пластинки условно лазеров приводит к доплеровскому смещению частот. Это становится предпосылкой нерегулярностей в дифракционной картине, что препятствует практическому применению технологии. По словам исследователей из MIT, делему удалось решить, воздействуя на пластинку ультразвуковыми волнами с частотой 100 МГц, компенсирующими ненужный эффект.

Коммерциализацией разработки будет заниматься компания Plymouth Grating Laboratory, сделанная управляющим проекта.

-Как опьянеешь, кажется, что бросишь курить.(Геннадий Малкин)